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論文

Thermal desorption spectroscopy of boron/carbon films after keV deuterium irradiation

山木 孝博*; 後藤 純孝*; 安東 俊郎; 神保 龍太郎*; 荻原 徳男; 西堂 雅博

Journal of Nuclear Materials, 217(1-2), p.154 - 160, 1994/11

 被引用回数:11 パーセンタイル:68.98(Materials Science, Multidisciplinary)

1keVの重水素ビームを照射した炭素/ボロン膜の昇温脱離ガス分析結果について報告する。B/C比が0$$sim$$74at.%の炭素/ボロン膜に、473Kにて4.5$$times$$10$$^{17}$$D/cm$$^{2}$$のフルエンスまで、3keVD$$_{3+}$$を照射した後、D$$_{2}$$及びCD$$_{4}$$の脱離特性を調べた。その結果、D$$_{2}$$ガスの脱離に関しては、炭素膜では1050K付近に脱離ピークが現れるのに対して、ボロン濃度3%の膜では850Kにピークが移り、さらにボロン濃度が60$$sim$$70%となるとより低温側に脱離ピークが移動する。またボロン濃度の増加とともにCD$$_{4}$$の脱離が減少することもわかった。これらの結果は、CVDによるB$$_{4}$$C被覆材やB$$_{4}$$C転化材料の脱離ガス特性とも一致した。炭素ボロン膜の場合、CD$$_{4}$$の脱離が炭素に比べて著しく小さくなるのは、D$$_{2}$$の脱離が低温側で生じるため、CD$$_{4}$$の脱離が顕著となるより高温の領域では、表面層に捕獲された重水素の濃度が低いためと考えられる。

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